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    從 IC 到模塊的嚴格測試確保您的DDR內存條的可靠性

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    瀏覽:- 發布日期:2022-01-18 15:46:05【

    從 IC 到模塊的嚴格測試確保您的DDR內存條的可靠性



    每個動態隨機存取存儲器 (DRAM) 組件上都有由多個芯片(IC)構成的微型集成電路(目前的DDR3和DDR4,分8bit以及16bit,其又分別對應了78ball*8DUT的Dram內存條以及96ball*4的DRAM內存條),這些芯片可在嚴苛的工作負載和設置下長時間可靠地運行。無論是靜止還是運行,這些內存條在其整個使用壽命期間都面臨著危險,任何故障都可能導致系統故障,從而中斷或延遲系統工作。因此,這些組件應該按照非常高的標準進行制造和封裝,并且它們的使用應該以能夠解決或最小化已知風險的方式進行管理。


    1.難點:


    隨著 IC 尺寸的微小化,它們變得更容易受到許多環境因素的損害,尤其是對于放置在惡劣的高溫或低溫環境或者是空氣中含有顆粒物的荒涼地區。系統設備在難以進行定期維護的戶外偏遠地區特別容易受到攻擊。


    IC 質量參差不齊。

    晶圓內的 IC 可能并非都具有相同的質量。一個晶圓中可能有質量好的 IC ,也肯定有不好的 。當同一內存條使用不同品質的芯片時,會造成系統運作不穩定。

    內存條測試

    如圖. 在同一個 內存條中使用不同質量的 IC 會導致系統運行不穩定。


    這就是“木桶效應”的另一種展現,差memory芯片決定了整個內存條的整體壽命;

    木桶效應

    溫度因素:高工作溫度會導致 內存條芯片加速老化,尤其是在安裝在空氣流通不良的系統和環境中時,例如電腦主機,強調散熱,核心就是散,主要是CPU或者內存IC在工作時候,會產生一定的熱量,這些熱量能是芯片能接受的溫度,但是如果不散熱,可能超過芯片本身能承受的問題,甚至危害整個系統。

    芯片測試

    環境因素:諸如灰塵、有害氣體、腐蝕性化學物質、濕氣、水和其他空氣傳播元素等顆粒會滲透到內存條中,從而導致腐蝕和損壞IC。例如,當環境中的硫進入電阻器的間隙并與用作敏感電子部件的導電材料的銀接觸時,銀會變成一種稱為硫化硫的非導電化合物。由此產生的腐蝕導致電阻器開路。它將不再正常工作,最終導致模塊故障。


    機電因素:觸點/金手指的損壞會削弱信號完整性或對信號完整性產生不利影響。靜電放電 (ESD) 會導致電子在表面之間轉移并產生靜電荷。摩擦力、接觸面積和濕度可以決定產生的靜電量。簡單地從卷筒上解開膠帶或在地毯上行走會產生靜電,這可能會損壞電子元件,因為即使是很小的參數變化也會造成不利影響,從性能下降到完全設備故障。


    電源電壓突然升高的電涌或尖峰也可能對 IC 或內存芯片有害,導致內存條故障或縮短其使用壽命。電壓波動和突然斷電事件會降低組件和電路的性能,縮短設備壽命并導致數據丟失或損壞。

    電池結構


    可靠性解決方案和技術


    用于企業和工業市場的內存條,通常安裝在高性能環境中,例如數據中心,在這些環境中進行大規模的不間斷計算,任何運營中斷都會嚴重影響業務。在物聯網系統中的使用也很常見。這些系統可能位于難以到達進行定期維護的偏遠地區。因此,重要的是要確保 DRAM 模塊可以長期使用。


    內存條一般需要經過兩個級別的測試,以確保最大的可靠性:

    1. 先進的IC級別的測試,篩選具有最佳可靠性和質量特性的 IC,適用于需要大幅度的高低溫測試可靠性測試。

    DDR芯片測試治具

    2. 增強的整內存條級測試:老化測試 (TDBI) 和自動測試設備 (ATE) 保證模塊達到甚至超過合格參數。

    半導體老化設備

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