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    QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座詳細信息/Detailed Information

    QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座

    材料&特性:
    socket本體:PEI
    彈片材料:鈹銅
    彈片鍍層:鎳金
    操作壓力:0.5KG min ,PIN越多壓力越大
    絕緣阻抗:1,000MΩ,500VDC
    最大電流:2A
    使用溫度:-55℃~175℃@3000小時
    機械壽命:15000次
    訂購熱線:13631538587
    立即咨詢

    特點:
    座子外殼采用特殊的工程塑膠,強度高、壽命長
    彈片采用進口鈹銅材料,阻抗小、彈性號、壽命長
    鍍金層加厚,觸點加厚電鍍,接觸穩定超低接觸阻抗、抗氧化程度高
    適用于間距為:0.35、0.4、0.5、0.65的標準封裝芯片

    材料&特性:
    socket本體:PEI
    彈片材料:鈹銅
    彈片鍍層:鎳金
    操作壓力:0.5KG min ,PIN越多壓力越大
    絕緣阻抗:1,000MΩ500VDC
    最大電流:2A
    使用溫度:-55℃~175℃@3000小時
    機械壽命:15000次


    工廠介紹


    鴻怡電子生產QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座,同時還生產其他種類齊全的芯片封裝測試座/老化座/燒錄座/測試夾具/BGA/EMMC/EMCP/QFP/QFN/SOP/SOT/DDR/FPC/connector/IMU socket等。

    QFN芯片老化座

    QFN32pin老化測試座

    QFN封裝芯片老化座

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